CCD用透明栅电极的制作

• 作者: 向华兵 曾武贤 李华高 熊玲 赵梁博 邓涛
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: ITO薄膜 透明栅电极 CCD
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 732-735
• 分类号: TN386.5
• 语种: 中文

摘要

采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4 Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;使用ITO透明电极代替其中一相多晶硅电极,制作的CCD图像传感器,其蓝光响应明显增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李华高		10	55	3.0	7.0
2	赵梁博	天津工业大学信息与通信工程学院	2	4	1.0	2.0
3	熊玲		4	11	2.0	3.0
4	邓涛		4	32	2.0	4.0
5	曾武贤		4	3	1.0	1.0
6	向华兵		6	4	1.0	2.0