一种应用于DRM/DAB频率综合器的宽带低相位噪声LC压控振荡器

• 作者: 王志功 王科平 雷雪梅
• 来源期刊: 东南大学学报（英文版）
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS压控振荡器 开关电容阵列 MOS可变电容 宽带 低相位噪声 DRM/DAB频率综合器
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 528-531
• 分类号: TN752
• 字数: 666字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2010.04.005

摘要

介绍了一种应用于DRM/DAB频率综合器的宽带低相位噪声低功耗的CMOS压控振荡器.为了获得宽工作频带和大调谐范围,在LC谐振腔里并联一个开关控制的电容阵列.所设计的压控振荡器应用中芯国际的0.18μm RF CMOS工艺进行了流片实现.包括测试驱动电路和焊盘,整个芯片面积为750μm×560 μm.测试结果表明,该压控振荡器的调谐范围为44.6%,振荡频率范围为2.27～3.57 GHz.其相位噪声在频偏为1 MHz时为-122.22 dBc/Hz.在1.8V的电源电压下,其核心的功耗为6.16 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	雷雪梅	东南大学射频与光电集成电路研究所	5	12	2.0	3.0
6	王科平	东南大学射频与光电集成电路研究所	12	103	5.0	10.0