原位Si掺杂c-BN薄膜的制备及电学性质研究

• 作者: 应杰 施辉伟 范亚明 谭海仁
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 立方氮化硼薄膜 掺杂 硅 立方相含量 电学输运
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 409-414
• 分类号: TN304.2|O472
• 字数: 5026字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.07.005

摘要

采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜.系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响.结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源离子的轰击强度;随着辅源混合气体中Ar含量的增加,立方相含量也逐步增加;中等衬底生长温度既可以保持薄膜中高立方相含量以及较好的晶体质量,又不会导致薄膜中应力过大.电学测试则显现掺杂薄膜具有明显的半导体特性和非晶态半导体的电学输运性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	应杰		1	1	1.0	1.0
2	范亚明		1	1	1.0	1.0
3	谭海仁		1	1	1.0	1.0
4	施辉伟		1	1	1.0	1.0