钯缓冲层制备GaN纳米线及光学特性分析

• 作者: 刘文军 庄惠照 石锋 薛成山 郭永福
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 纳米线 磁控溅射 单晶 氨化 催化剂
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 14-17
• 分类号: TN304.055|TN304.23|TB383
• 字数: 2558字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.01.004

摘要

利用射频磁控技术,在Si衬底上以Pd为缓冲层、Ga2O3,粉末作为生长GaN的Ga源,成功制备出大量GaN纳米线.通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,纳米线的直径为10～60 nm,长度达几十个微米.X射线衍射和X射线能量散射谱显示合成的纳米线为GaN单晶结构.傅里叶变换红外吸收光谱和光致发光光谱测试表明,制得的GaN纳米线与GaN体材料相比具有不同的光学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石锋	山东师范大学半导体研究所	31	83	5.0	6.0
2	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
3	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
4	郭永福	山东师范大学半导体研究所	8	38	4.0	6.0
5	刘文军	山东师范大学半导体研究所	7	35	4.0	5.0