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摘要:
用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜.这些薄膜的光致发光峰是在370~395 nm之间,它来自于Ce3+离子的5d'激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度依赖于薄膜的掺杂浓度,并分析了产生这种关系的原因.Al2O3:Ce3+非晶薄膜发光特性在平板显示等领域有着广泛潜在的应用前景.
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文献信息
篇名 Al2O3:Ce3+薄膜发光特性研究
来源期刊 真空 学科 工学
关键词 光致发光 Al2O3 非晶薄膜 磁控溅射 稀土元素
年,卷(期) 2010,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 45-48
页数 分类号 TB43|O484
字数 1709字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 闫绍峰 辽宁工业大学机械工程与自动化学院 55 164 8.0 10.0
2 仪登利 辽宁工业大学机械工程与自动化学院 17 43 3.0 6.0
3 熊晓航 辽宁工业大学机械工程与自动化学院 28 109 6.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
光致发光
Al2O3
非晶薄膜
磁控溅射
稀土元素
研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
真空
双月刊
1002-0322
21-1174/TB
大16开
辽宁省沈阳市万柳塘路2号
8-30
1964
chi
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2692
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3
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12898
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