透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能

• 作者: 刘星元 田苗苗 范翊
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 透明导电氧化物 掺杂 In2O3 Bi2O3 有机电致发光器件
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 605-608
• 分类号: O484.4|TN383+.1
• 字数: 2390字
• 语种: 中文

摘要

以氧化铟为主体材料,以铋为掺杂材料,采用真空热蒸发方法研制出2.5%铋掺杂的透明导电氧化物薄膜(IBO).实验表明:IBO薄膜具有良好的表面形貌,载流子浓度为3.955×1019cm-3,载流子迁移率达到50. 21 cm2·V-1·s-1,电导率为3.143×10-3Ω·cm,在可见光范围内的平均透过率超过82%,功函数为4.76 eV.采用其作为阳极制作的OLED得到最大亮度30 230 cd/m2最大电流效率为5.1 cd/A.结果表明IBO是一种良好的光电器件阳极材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘星元		3	31	3.0	3.0
2	田苗苗		16	176	6.0	13.0
6	范翊		2	12	2.0	2.0