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摘要:
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 MOSFET击穿特性的二维数值模拟
来源期刊 数字通信 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2010,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 80-82,88
页数 分类号 TN91
字数 2524字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-3824.2010.03.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 熊平 21 434 5.0 20.0
2 韩露 3 54 1.0 3.0
3 白雪平 2 0 0.0 0.0
传播情况
(/次)
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引文网络
引文网络
二级参考文献  (7)
共引文献  (0)
参考文献  (1)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1964(1)
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1988(1)
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1989(2)
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1990(2)
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2003(1)
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2006(1)
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2010(0)
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
数字通信
双月刊
1005-3824
50-1105/TN
大16开
重庆市南岸区重庆邮电大学
78-45
1974
chi
出版文献量(篇)
9629
总下载数(次)
3
总被引数(次)
5003
论文1v1指导