Cu(In,Ga)Se2太阳能电池窗口层ZnO:Al薄膜的研究

• 作者: 古宏伟 屈飞 李弢 杨发强 王磊
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO:Al 射频磁控溅射 Cu(In,Ga)Se2
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 383-388
• 分类号: TB34
• 字数: 3329字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2010.03.013

摘要

用射频磁控溅射氧化锌掺铝陶瓷靶的方法在玻璃衬底上制备了ZnO:Al薄膜.研究了衬底温度(Ts)、靶基距(Dt-s)对薄膜结构及光电性能的影响.实验结果显示:Ts在室温至300℃、Dt-s在35～60mm范围内时,薄膜为六方相结构,并具有C轴取向,可见光范围平均透光率大于88%.Ts及Dt-s对薄膜电学性能的影响相似,随Ts升高或Dt-s增大,ZnO:Al薄膜的电阻率先减小后增大,霍尔迁移率先增大后减小,载流子浓度逐渐减小.在Ts为150℃,Dt-s为40 mm时,可获得最低电阻率4.18×10-4 Ω·cm的ZnO:Al薄膜,其载流子浓度为8.13×1020 cm-3、霍尔迁移率为18 cm2·V-1·s-1,可见光范围平均透过率为89%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王磊		38	221	9.0	12.0
2	屈飞		11	118	5.0	10.0
3	李弢		21	85	5.0	8.0
4	古宏伟	中国科学院电工研究所	13	41	4.0	6.0
5	杨发强		1	7	1.0	1.0