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预置层退火温度对CIGS薄膜晶体结构与光学性质的影响
预置层退火温度对CIGS薄膜晶体结构与光学性质的影响
作者:
唐振方
李文科
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CIGS薄膜
预置层
退火温度
晶体结构
光学性质
摘要:
在众多有关CIGS薄膜的制备实验条件中,温度是影响薄膜生长的重要因素之一.实验利用三步共蒸法在常温下沉积CIGS薄膜,而后对每一步制得的预制膜真空退火处理,系统研究了预置层退火温度对CIGS薄膜的晶体结构、表面形貌及光学性质的影响.研究表明,三步共蒸法中预置层退火温度应严格控制在350℃左右,有利于制备出单一黄铜相结构的CIGS薄膜,近红外波段光学反射率低至2%以下.
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文献信息
篇名
预置层退火温度对CIGS薄膜晶体结构与光学性质的影响
来源期刊
真空
学科
工学
关键词
CIGS薄膜
预置层
退火温度
晶体结构
光学性质
年,卷(期)
2010,(5)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
16-19
页数
分类号
TM615
字数
2942字
语种
中文
DOI
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姓名
单位
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H指数
G指数
1
唐振方
暨南大学物理系
48
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18.0
2
李文科
暨南大学物理系
3
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预置层
退火温度
晶体结构
光学性质
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空
主办单位:
中国机械工业集团公司沈阳真空技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1002-0322
CN:
21-1174/TB
开本:
大16开
出版地:
辽宁省沈阳市万柳塘路2号
邮发代号:
8-30
创刊时间:
1964
语种:
chi
出版文献量(篇)
2692
总下载数(次)
3
总被引数(次)
12898
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