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摘要:
在众多有关CIGS薄膜的制备实验条件中,温度是影响薄膜生长的重要因素之一.实验利用三步共蒸法在常温下沉积CIGS薄膜,而后对每一步制得的预制膜真空退火处理,系统研究了预置层退火温度对CIGS薄膜的晶体结构、表面形貌及光学性质的影响.研究表明,三步共蒸法中预置层退火温度应严格控制在350℃左右,有利于制备出单一黄铜相结构的CIGS薄膜,近红外波段光学反射率低至2%以下.
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文献信息
篇名 预置层退火温度对CIGS薄膜晶体结构与光学性质的影响
来源期刊 真空 学科 工学
关键词 CIGS薄膜 预置层 退火温度 晶体结构 光学性质
年,卷(期) 2010,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 16-19
页数 分类号 TM615
字数 2942字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 唐振方 暨南大学物理系 48 418 11.0 18.0
2 李文科 暨南大学物理系 3 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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CIGS薄膜
预置层
退火温度
晶体结构
光学性质
研究起点
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期刊影响力
真空
双月刊
1002-0322
21-1174/TB
大16开
辽宁省沈阳市万柳塘路2号
8-30
1964
chi
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