BJT等效电路模型的发展

• 作者: 伍青青 王曦 罗杰馨 肖德元 陈静
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 等效电路模型 BJT BJT模型 HICUM 模型 电荷控制理论
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 308-316
• 分类号: TN322.8
• 字数: 6668字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.03.013

摘要

随着BJT尺寸的缩小以及BJT广泛应用于高速和RF电路,有效及准确的BJT电路设计要求更加精确的等效电路模型.通过介绍模型的基本原理及其对BJT器件关键物理效应的模拟,描述不同模型开发者采用的方式,结合仿真结果分析不同模型的特点.主要从以下几个方面展开:模型的大信号等效电路图;归一化电荷的计算,转移电流表达式;晶体管二阶效应模型,包括基区宽度调制效应(即Early效应)、大注入效应等;大电流条件下的Kirk效应,准饱和效应等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈静	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料重点实验室	195	2091	24.0	37.0
2	王曦	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料重点实验室	60	322	10.0	15.0
3	肖德元	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料重点实验室	3	23	3.0	3.0
4	罗杰馨	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料重点实验室	5	23	3.0	4.0
5	伍青青	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料重点实验室	2	17	2.0	2.0