Si基CeO2薄膜的发光特性

• 作者: 丁甲成 王永生 王申伟 衣立新 高靖欣
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CeO2 光致发光 能量传递
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 762-766
• 分类号: O472.3
• 字数: 2606字
• 语种: 中文

摘要

利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的CeO2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰.结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明:CeO2薄膜在高温下容易发生失氧反应,出现Ce4+→Ce3+离子转变,Ce3+离子在紫外光的激发下,电子由02p跃迁到5d能级,再由5d能级向4f能级跃迁,从而产生强烈的蓝紫外发射,而445 mn左右的发光峰则来自于SiO2:薄膜的缺陷发光.样品选择900～1 200℃不同温度退火,并且在1 200℃下进行了不同时间的退火.研究结果显示:在1 200℃下进行2h的退火,薄膜发光强度达到最大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永生	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	53	252	9.0	13.0
2	王申伟	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	8	37	3.0	6.0
3	衣立新	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	11	40	3.0	6.0
4	丁甲成	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0
5	高靖欣	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	3	0	0.0	0.0