高密度Si基半导体电容器的性能及其制作

• 作者: 万里兮 吕垚 戴丰伟 王惠娟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体电容 高密度电容 三维结构 退耦频率 ICP刻蚀
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 量微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 367-371,375
• 分类号: TN405.98
• 字数: 2757字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.06.009

摘要

随着各种混合信号电路的性能和集成度的迅速提高以及对电路模块和元器件小型化的需要,集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达到小型化的解决方案.鉴于电容器被广泛用于滤波、调谐和电源回路退耦等各种板级集成封装中,采用Si MEMS工艺,在半导体表面深刻蚀三维(3D)图形以增大有效表面积,制作了一种高电容密度的半导体pn结退耦电容器,并分析研究了其主要制成工艺和性能.结果显示,所制作的电容器的电容密度达8～12 nF/mm2,相比无表面三维刻蚀图形的半导体电容器电容密度增大了10倍以上,退耦频率范围为10 kHz～3.2 GHz,可用于中低频率较大范围内的退耦.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万里兮	中国科学院微电子研究所	22	115	5.0	10.0
2	王惠娟	中国科学院微电子研究所	3	1	1.0	1.0
3	吕垚	中国科学院微电子研究所	4	28	2.0	4.0
4	戴丰伟	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0