0.5μm有源区腐蚀工艺的正交优化

• 作者: 李俊 王春栋 秦永伟 赵金茹
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 选择比 有源区腐蚀 正交优化实验法
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 38-40,48
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1896字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.09.010

摘要

文章基于Precision 5000等离子刻蚀技术,运用正交优化实验法,控制由LPCVD制备的Si3N4膜层对SiO2的选择比,对0.5μm有源区腐蚀工艺进行优化.运用minitab软件获得选择此的主效应图、效应的Pareto图、正态概率图,并讨论O2、Ar,CHF3气体对选择比的影响,最终获得各气体成分的最佳配比.实验结果表明有源区腐蚀中通过提高过腐蚀中Si3N4对SiO2的选择比来减少SiO2的损失,可以成功地将SiO2的损失控制在合理范围内,且腐蚀后平面、剖面形貌等各种参数符合产品要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李俊		38	117	4.0	9.0
2	赵金茹		4	9	2.0	3.0
3	王春栋		4	14	2.0	3.0
4	秦永伟		2	2	1.0	1.0