低压TiO2系压敏陶瓷的伏安特性实验分析

• 作者: 丁志文 周方桥 朱道云
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: TiO2系压敏陶瓷 伏安特性 热电子发射 肖特基势垒
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 25-27
• 分类号: TN304|TN379
• 字数: 2332字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.05.008

摘要

采用耗尽层近似理论,分析了低压TiO2系压敏陶瓷在直流偏压下的伏安特性,并对ZnO、TiO2和SrTiO3系三种压敏陶瓷的伏安特性进行了测试、分析和比较.结果表明,在晶界势垒不太高(一般为零点几电子伏)及晶界电场强度不太大(约106 V/m量级)的情况下,TiO2系压敏陶瓷晶界的电子传输机制不同于ZnO系压敏陶瓷,而与SrTiO3系压敏陶瓷的导电机制相似,属于肖特基热电子发射机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周方桥	广州大学固体物理与材料研究实验室	19	138	6.0	11.0
2	朱道云	广东工业大学实验教学部	12	30	2.0	5.0
3	丁志文	广州大学固体物理与材料研究实验室	10	49	4.0	6.0