基于MEMS实现SOI压力传感器工艺研究

• 作者: 宋国庆 张冬梅 耿振亚
• 来源期刊: 传感器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 压力传感器 硅氧化物绝缘体(SOI) 微电子机械系统(MEMS) 压阻效应
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 技术与应用
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 3336字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-883X.2010.01.007

摘要

应用压组效应原理制作硅氧化物绝缘体(SOI)压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,本文说明了SOI在微电子机械系统(MEMS)技术上的实现优势,并对压力传感器SOI结构的实现工艺进行了探索性试验,完成了SOI压力传感器的设计和封装,在强调了压力传感器的测试方法的同时,对所设计的样品进行了测试.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋国庆	中国电子科技集团公司第四十九研究所	6	22	3.0	4.0
2	耿振亚	中国电子科技集团公司第四十九研究所	3	17	2.0	3.0
6	张冬梅	中国电子科技集团公司第四十九研究所	5	17	3.0	4.0