聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸复合LB膜在OLED器件上的应用

• 作者: 徐建华 杨亚杰 蒋亚东 郑华靖
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 化学
• 关键词: PEDOT LB膜法 OLED 导电聚合物
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 40-44
• 页数: 5页
• 分类号: O647.2
• 字数: 1683字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2010.02.007

摘要

采用Langmuir-Blodgett(LB)膜静电诱导沉积法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)高度有序导电聚合物复合薄膜,研究了薄膜的导电性能并进一步研究薄膜在改善器件性能方面的作用.并将其应用于有机电致发光二极管(OLED)器件的空穴缓冲层,将聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)复合LB沉积于纳米铟锡金属氧化物(ITO)电极上,制备了以复合LB膜为空穴缓冲层的OLED器件.发现复合LB膜改善了器件性能(启动电压降低,最大亮度增加),但进一步的研究表明LB膜器件在一定时间后出现性能劣化.I-V特性和X射线反射率(XRR)分析表明,薄膜的结构发生一定程度的改变是导致器件性能变差的可能原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋亚东	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
2	徐建华	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	51	334	10.0	15.0
3	郑华靖	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	14	35	3.0	4.0
4	杨亚杰	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	26	142	7.0	10.0