蒸镀碳化铪(HfC)对单根碳纳米管场致发射性能的改善

• 作者: 刘亮 潜力 王昱权 范守善
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米管 场致发射 碳化铪 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 72-75
• 分类号: O462.4
• 字数: 1871字
• 语种: 中文

摘要

采用双向电泳法,在原子力显微镜探针尖端组装了单根碳纳米管,在真空环境下对比测量了单根碳纳米管蒸镀低逸出功材料HfC前后场致发射电流曲线和电流噪声的特点.证明了HfC蒸镀在碳纳米管上能够显著降低发射体的逸出功,减少电流噪声,并且观察到单根碳纳米管蒸镀了HfC后7μA左右的稳定电流发射.通过分析电流噪声,认为碳纳米管场致发射噪声主要来自吸附气体的频繁吸附和脱附.在低电流下,空间电离的离子轰击发射体表面,对吸附状态的影响占主导地位.当单根碳纳米管的场敏发射电流超过1μA量级以后,碳纳水管表面温度快速升高,温度对气体吸附的影响占主导地位,吸附的气体分子逐渐脱附后,电流噪声开始降低.