基片预处理对CVD金刚石薄膜形核的影响

• 作者: 曹菊琴
• 来源期刊: 宁夏工程技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微波辅助等离子体化学气相沉积装置 基片预处理 形核
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 58-59,67
• 分类号: TB43
• 字数: 1915字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7244.2010.01.019

摘要

微波辅助等离子体化学气相沉积法是目前低压气相合成金刚石薄膜方法中应用最普遍、工艺最成熟的方法,形核是CVD金刚石沉积的第一步.利用微波辅助等离子体化学气相沉积装置,研究了硅基片预处理方式对金刚石薄膜形核密度的影响.在工作气压为5～8 kPa,微波功率为2 500～5 000 W,甲烷流量为4～8 cm3/min,氢气流量为200 cm3/min,沉积温度为500℃～850℃的条件下,在单晶Si基片上沉积金刚石薄膜.通过扫描电子显微镜形貌观察表明,基片预处理能够显著提高金刚石形核密度,同时用拉曼光谱表征了金刚石薄膜的质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹菊琴	宁夏医科大学基础医学院	19	24	3.0	3.0