原位插层聚合法制备聚苯胺/蒙脱石纳米复合导电材料的研究

• 作者: 孙红娟 彭同江 胡傲厚
• 来源期刊: 非金属矿
• 学科: 地球科学
• 关键词: 聚苯胺 蒙脱石 原位插层聚合法
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 4-8
• 分类号: P579|TB332
• 字数: 5550字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-8098.2010.03.002

摘要

采用原位插层聚合法制备聚苯胺/蒙脱石纳米复合材料,研究了蒙脱石的用量、掺杂剂盐酸的用量、反应温度和反应时间等对复合材料导电性能的影响.结果表明:当蒙脱石与苯胺(苯胺用量5.1g)的质量比为0.09,2mol/L盐酸的用量为50mL,20℃务件下反应6h,所得复合材料电导率最大,达2.51S/cm.利用XRD、FT-IR、TG和SEM等手段对该务件下制备的纳米复合材料进行了表征.本实验研究对于蒙脱石的深加工应用和聚苯胺/蒙脱石纳米复合材料的制备具有重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭同江	西南科技大学矿物材料及应用研究所	252	2575	22.0	36.0
2	孙红娟	西南科技大学矿物材料及应用研究所	175	1799	18.0	33.0
3	胡傲厚	西南科技大学材料学院	4	51	4.0	4.0