GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较

• 作者: 乔建良 常本康 王晓晖 郭向阳
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光电发射 GaN NEA光电阴极 稳定性 量子效率 表面结构
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 微光技术
• 页码范围: 117-120
• 页数: 4页
• 分类号: TN219
• 字数: 2401字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.02.014

摘要

利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,对激活后的反射式GaN及GaAs光电阴极进行了稳定性测试,获得了Cs/O激活一段时间后阴极随时间变化的光谱响应,通过计算得到量子效率曲线.结果表明:激活结束后GaN灵敏度可以在较长时间内保持稳定,而后缓慢衰减.而GaAs光电阴极的光电流随时间近似呈指数衰减.结合阴极表面双偶极层结构以及表面化学成分,分析原因主要是:两种阴极表面进行Cs/O激活后形成的双偶极子的结构不同、衰减过程中双偶极层化学成分变化方式不同决定.GaN光电阴极激活后cs以复杂氧化物存在,更加稳定,灵敏度的衰减主要是由未分解的氧引起,而GaAs灵敏度下降的原因主要是表面双偶极层中的Cs极易脱附,影响其稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	王晓晖	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	92	6.0	8.0
3	乔建良	南京理工大学电子工程与光电技术学院	26	177	9.0	11.0
4	郭向阳	南京理工大学电子工程与光电技术学院	4	27	3.0	4.0