Ti-Sn体系合金稳定性及其电子结构的研究

• 作者: 何茗 吴孟强 张树人 彭森 王秀锋
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 形成能 结合能 电荷密度 态密度
• 年，卷（期）: 2010,（22）
• 页码范围: 73-76
• 分类号: TG1
• 字数: 3592字
• 语种: 中文

摘要

基于第一性原理赝势平面波方法研究了具有不同结构类型的Ti-Sn体系中间相合金的基态性质,包括优化后的形成能、结合能、电荷密度和态密度等.计算结果表明,Ti-Sn体系合金的稳定性随Ti含量的增加而提高,但Ti6Sn5和Ti5Sn3的合金化能力比Ti3Sn、Ti2Sn、Ti2Sn3强得多.Ti-Sn体系合金的态密度显示了成键电子主要由Ti元素的3p、3d轨道电子和Sn元素的5p轨道电子贡献.Ti-Sn体系合金稳定性的差异主要是由于Fermi能级附近低能量区域的单位原子成键电子数不同造成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张树人	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	187	1176	16.0	24.0
2	吴孟强	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	56	505	13.0	21.0
3	何茗	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	12	45	4.0	6.0
4	彭森	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	27	2.0	5.0
5	王秀锋	湘潭大学材料与光电物理学院	7	39	3.0	6.0