美、日、欧宽带隙半导体技术发展研究

• 作者: 陈海明
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带隙半导体 发展计划 碳化硅 氮化镓 砷化镓 恶劣环境
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 749-752,756
• 分类号: TN304.23
• 字数: 4554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.08.001

摘要

美国、日本和欧盟等国在SiC、GaN和金刚石等宽带隙半导体器件与电路研究中已取得多项里程碑性的进展,这些飞速发展已经证实宽带隙半导体是当之无愧的新一代半导体材料,并将替代Si和GaAs应用于相控阵雷达、高保密通信及其他重要设施等诸多国防和航空领域.概述了SiC和GaN等宽带隙半导体在军事、宇航及其他恶劣环境应用中优于Si和GaAs等传统半导体技术的具体体现.介绍了美国、日本和欧盟在发展宽带隙半导体技术上的重大举措及其在器件开发与研究中的最新进展.着重探讨了美、日、欧等发达国家实施的宽带隙半导体技术发展计划及其对其军事、航天及其他重要设施产生的深远影响.

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