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130 nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应
130 nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应
作者:
刘佑宝
吴龙胜
方勇
陈超
韩本光
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
电荷共享
超深亚微米
器件模拟
单粒子辐射
寄生双极管效应
摘要:
研究了同一P阱内两个130 nm NMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应.使用TCAD仿真构造并校准了130 nm NMOS管.研究了在有无p~+保护环结构及不同器件间距下,处于截止态的NMOS晶体管之间的电荷共享,给出了电荷共享效应与SET脉冲电流产生的机理.同时分析了NMOS晶体管中的寄生双极管效应对反偏漏体结电荷收集的加剧作用.仿真结果表明,p~+保护环可以有效地减小NMOS器件间的电荷共享,加速SET脉冲电流的泄放,证实了p~+保护环对器件抗单粒子辐射的有效性,从而给出了该方法在抗单粒子辐射器件版图设计中的可行性.
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文献信息
篇名
130 nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
电荷共享
超深亚微米
器件模拟
单粒子辐射
寄生双极管效应
年,卷(期)
2010,(1)
所属期刊栏目
器件制造与应用
研究方向
页码范围
46-49,93
页数
5页
分类号
TN6774|TN386.1
字数
3274字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1003-353x.2010.01.011
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘佑宝
56
248
9.0
13.0
2
吴龙胜
50
120
6.0
8.0
3
韩本光
7
14
2.0
3.0
4
陈超
3
6
1.0
2.0
5
方勇
3
6
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二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
电荷共享
超深亚微米
器件模拟
单粒子辐射
寄生双极管效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
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