130 nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应

• 作者: 刘佑宝 吴龙胜 方勇 陈超 韩本光
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷共享 超深亚微米 器件模拟 单粒子辐射 寄生双极管效应
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 46-49,93
• 页数: 5页
• 分类号: TN6774|TN386.1
• 字数: 3274字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.01.011

摘要

研究了同一P阱内两个130 nm NMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应.使用TCAD仿真构造并校准了130 nm NMOS管.研究了在有无p~+保护环结构及不同器件间距下,处于截止态的NMOS晶体管之间的电荷共享,给出了电荷共享效应与SET脉冲电流产生的机理.同时分析了NMOS晶体管中的寄生双极管效应对反偏漏体结电荷收集的加剧作用.仿真结果表明,p~+保护环可以有效地减小NMOS器件间的电荷共享,加速SET脉冲电流的泄放,证实了p~+保护环对器件抗单粒子辐射的有效性,从而给出了该方法在抗单粒子辐射器件版图设计中的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘佑宝		56	248	9.0	13.0
2	吴龙胜		50	120	6.0	8.0
3	韩本光		7	14	2.0	3.0
4	陈超		3	6	1.0	2.0
5	方勇		3	6	1.0	2.0