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摘要:
研究了同一P阱内两个130 nm NMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应.使用TCAD仿真构造并校准了130 nm NMOS管.研究了在有无p~+保护环结构及不同器件间距下,处于截止态的NMOS晶体管之间的电荷共享,给出了电荷共享效应与SET脉冲电流产生的机理.同时分析了NMOS晶体管中的寄生双极管效应对反偏漏体结电荷收集的加剧作用.仿真结果表明,p~+保护环可以有效地减小NMOS器件间的电荷共享,加速SET脉冲电流的泄放,证实了p~+保护环对器件抗单粒子辐射的有效性,从而给出了该方法在抗单粒子辐射器件版图设计中的可行性.
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文献信息
篇名 130 nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 电荷共享 超深亚微米 器件模拟 单粒子辐射 寄生双极管效应
年,卷(期) 2010,(1) 所属期刊栏目 器件制造与应用
研究方向 页码范围 46-49,93
页数 5页 分类号 TN6774|TN386.1
字数 3274字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.01.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘佑宝 56 248 9.0 13.0
2 吴龙胜 50 120 6.0 8.0
3 韩本光 7 14 2.0 3.0
4 陈超 3 6 1.0 2.0
5 方勇 3 6 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
电荷共享
超深亚微米
器件模拟
单粒子辐射
寄生双极管效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
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38
总被引数(次)
24788
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