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摘要:
以三星公司的与非型闪存(NAND Flash)器件K9K8G08UOA为例,介绍了NAND Flash的存储结构和接口信号以及AT91 RM9200对NAND Flash的接口支持,分析了NAND Flash两种接口方式的优缺点,阐述了AT91 RM9200对NAND Flash的初始化过程,重点以表格形式说明了接口时序的设计,最后对坏块的概念和ECC校验算法原理做了简单的介绍.NAND Flash的复用I/O接口为更新更高密度的器件提供了相同的引线,使得系统的扩展性大大提高.
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内容分析
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文献信息
篇名 NAND Flash与AT91RM9200的接口设计
来源期刊 无线电通信技术 学科 工学
关键词 NAND Flash AT91RM9200 接口时序 ECC
年,卷(期) 2010,(2) 所属期刊栏目 综合电子信息技术
研究方向 页码范围 40-42
页数 3页 分类号 TP311
字数 2400字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-3114.2010.02.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 母金文 2 8 2.0 2.0
2 马红星 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
NAND Flash
AT91RM9200
接口时序
ECC
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
无线电通信技术
双月刊
1003-3114
13-1099/TN
大16开
河北省石家庄市中山西路589号
18-149
1972
chi
出版文献量(篇)
2815
总下载数(次)
6
总被引数(次)
11314
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