双基区大功率快恢复二极管的研究

• 作者: 安涛 尹启堂 李玉柱 邢毅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 快速恢复二极管 P~+pinn~+结构 软恢复 少子寿命
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 129-132,141
• 页数: 5页
• 分类号: TN31
• 字数: 2695字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.02.008

摘要

提出了在采用V_B=94ρ_n~(0.7)数学模型设计双基区P~+pinn~+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=W_i/X_m=0.25数学模型的方法.采用Si片扩铂和电子辐照共同控制基区少子寿命及分布,并利用该设计方法对ZKR1 000 A/2 600 V结构参数进行了优化设计.对设计参数进行了实验验证,结果表明,器件参数满足设计指标,达到国外同类产品水平.说明该设计方法及各种参数的选取是正确的,寿命控制技术是有效的.为P~+pinn~+结构二极管设计与制造提供了一种具有重要的指导意义和参考价值的新方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	安涛		50	182	7.0	11.0
2	尹启堂		2	3	1.0	1.0
3	李玉柱		1	3	1.0	1.0
4	邢毅		3	13	2.0	3.0