GaN基发光二极管外量子效率研究进展

• 作者: 冯异
• 来源期刊: 光机电信息
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二级管 外量子效率
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 光机电研究
• 页码范围: 23-28
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 3799字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OMEI 20102701.0023

摘要

近年来,GaN基发光二极管发展迅猛,但其发光效率一直是制约LED在照明领域广泛应用的主要瓶颈.本文简要介绍了提高发光二极管外量子效率的几种途径:生长分布布喇格反射层(DBR)结构,表面粗化技术,异性芯片技术,采用光子晶体结构,倒装芯片技术,激光剥离技术,透明衬底技术等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯异		5	15	2.0	3.0