磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响

• 作者: 刘玉岭 刘金玉 边娜 项霞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 蓝宝石衬底 化学机械抛光 磨料 去除速率 粒径
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 1064-1066,1082
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2243字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.11.004

摘要

蓝宝石晶体已经成为现代工业,尤其是微电子及光电子产业极为重要的衬底材料,提高其化学机械抛光效率是业界无法回避的问题.在CMP系统中,磨料是决定去除速率及表面状态的重要因素.分析了化学机械抛光过程中抛光液中磨料的作用以及抛光机理,在确保表面状态的基础上,研究了抛光液中磨料体积分数、粒径和抛光液的黏度对速率的影响,指出纳米磨料是蓝宝石衬底抛光的最佳磨料.选用合适的磨料体积分数、粒径及抛光液黏度,不仅获得了良好的去除速率,而且有效地解决了表面状态方面的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘金玉	河北工业大学微电子研究所	4	22	2.0	4.0
2	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
3	项霞	河北工业大学微电子研究所	2	18	1.0	2.0
4	边娜	河北工业大学微电子研究所	2	18	1.0	2.0