MOSFET击穿特性的二维数值模拟

• 作者: 熊平 白雪平 韩露
• 来源期刊: 数字通信
• 学科: 工学
• 关键词: 二维数值模拟 击穿特性 MOSFET 雪崩击穿电压 MEDICI 栅绝缘层 模拟软件 PN结
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 80-82
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.21

摘要

0引言 MOSET中产生击穿的机构有漏源击穿和栅绝缘层击穿。其中漏源击穿电压是由漏一衬底的PN结雪崩击穿电压与穿通电压两者中的较小者决定的。本文对漏源击穿运用MEDICI二维器件模拟软件进行分析。