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摘要:
采用射频反应磁控溅射金属钇耙的方法,在硅衬底成功制备了高介电Y2O3薄膜.并深入研究了Y2O3薄膜的微结构和Y2O3/Si 体系的界面结构在高温退火过程中的变化规律.研究结果表明:在400~500 ℃之间,Y2O3 薄膜有一个从单斜相向立方相的物相结构转变过程.在高温退火过程中,Y2O3/Si有界面层SiO2生成,并且随着退火温度增加,界面层SiO2 的厚度也在逐渐增加.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 高介电材料Y2O3 薄膜的微结构及界面特性的研究
来源期刊 硅酸盐通报 学科 物理学
关键词 Y2O3薄膜 微结构 界面特性
年,卷(期) 2010,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1063-1066
页数 分类号 O484
字数 2982字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 汪洋 20 84 5.0 8.0
2 侯建朝 6 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
Y2O3薄膜
微结构
界面特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
硅酸盐通报
月刊
1001-1625
11-5440/TQ
16开
北京市朝阳区东坝红松园1号中材人工晶体研究院733信箱
80-774
1980
chi
出版文献量(篇)
8598
总下载数(次)
10
总被引数(次)
58151
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