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摘要:
采用经过优化的新型大光腔结构,设计出低发散角的980nm半导体激光器,利用分子束外延系统生长出应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,并制作出980nm单模半导体激光器.器件在3μm条宽,750μm腔长时,100mA电流下室温连续输出功率达到70mW以上.激光器的最大斜率效率为0.89W/A. 垂直方向远场发散角为28°. 器件在250mA工作电流下输出功率达到190mW. 器件在70℃温度下仍可以正常工作.
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文献信息
篇名 高性能980nm单模半导体激光器
来源期刊 兵工学报 学科 工学
关键词 光电子学与激光技术 980nm单模半导体激光器 高功率 低发散角
年,卷(期) 2010,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1110-1113
页数 分类号 TN248.4
字数 2753字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李辉 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 19 94 6.0 9.0
2 曲轶 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 39 163 7.0 11.0
3 高欣 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 38 214 8.0 13.0
4 薄报学 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 44 252 9.0 14.0
5 刘国军 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 62 303 9.0 14.0
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节点文献
光电子学与激光技术
980nm单模半导体激光器
高功率
低发散角
研究起点
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兵工学报
月刊
1000-1093
11-2176/TJ
大16开
北京2431信箱
82-144
1979
chi
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