辐射效应对半导体器件的影响及加固技术

• 作者: 杨晓花 赵力
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子器件 辐射效应 抗辐射加固 MOS器件等比例缩小
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 31-36
• 分类号: TN492
• 字数: 7475字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.08.008

摘要

与其他半导体器件相比,CMOS集成电路具有功耗小、噪声容限大等优点,对于对重量、体积、能源消耗都有严格要求的卫星和宇宙飞船来说,CMOS集成电路是优先选择的器件种类.随着半导体器件的等比例缩小,辐射效应对器件的影响也在跟着变化.这些影响包括:栅氧化层厚度、栅长的减小、横向非均匀损伤、栅感应漏电流等方面.对于微电子器件的抗辐射加固,文章就微电子器件的应用场合、辐射环境的辐射因素和强度等,从微电子器件的制作材料、电路设计、器件结构,工艺等多方面进行加固考虑,针对各种应用环境提出加固方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晓花		2	21	2.0	2.0
2	赵力		4	20	1.0	4.0