退火温度对La3Ga5SiO14薄膜结构及表面形貌的影响

• 作者: 娄垚 季振国 张雯 李红霞 王继扬
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: La3Ga5SiO14薄膜 脉冲激光沉积 退火温度 微观结构
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 588-592
• 分类号: O484
• 字数: 3386字
• 语种: 中文

摘要

采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了La3Ga5SiO14薄膜,并研究了不同的退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响.衬底温度为室温时生长的薄膜经过800 ℃以上的高温退火后,由最初的无定形态转变为无规则取向的多晶结构.衬底温度为400 ℃时生长的薄膜经过800 ℃退火处理后呈现无序的多晶形态.当退火温度进一步升高至1000 ℃时,XRD图谱显示薄膜由最初的(220)和(300)两个结晶方向转变为以(200)和(400)为主要取向的多晶结构.表面形貌分析表明:衬底温度为400 ℃时,随着退火温度的升高,薄膜颗粒尺寸逐渐增大,表面无裂纹,而衬底温度为室温时生长的薄膜退火后则出现大量的裂缝、孔洞等缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王继扬	山东大学晶体材料国家重点实验室	200	1444	21.0	30.0
2	李红霞	浙江工业大学机械制造及自动化教育部重点实验室	10	130	7.0	10.0
3	季振国	杭州电子科技大学电子信息学院	33	116	5.0	9.0
4	张雯	山东大学晶体材料国家重点实验室	15	21	3.0	3.0
5	娄垚	杭州电子科技大学电子信息学院	1	4	1.0	1.0