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退火温度对La3Ga5SiO14薄膜结构及表面形貌的影响
退火温度对La3Ga5SiO14薄膜结构及表面形貌的影响
作者:
娄垚
季振国
张雯
李红霞
王继扬
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
La3Ga5SiO14薄膜
脉冲激光沉积
退火温度
微观结构
摘要:
采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了La3Ga5SiO14薄膜,并研究了不同的退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响.衬底温度为室温时生长的薄膜经过800 ℃以上的高温退火后,由最初的无定形态转变为无规则取向的多晶结构.衬底温度为400 ℃时生长的薄膜经过800 ℃退火处理后呈现无序的多晶形态.当退火温度进一步升高至1000 ℃时,XRD图谱显示薄膜由最初的(220)和(300)两个结晶方向转变为以(200)和(400)为主要取向的多晶结构.表面形貌分析表明:衬底温度为400 ℃时,随着退火温度的升高,薄膜颗粒尺寸逐渐增大,表面无裂纹,而衬底温度为室温时生长的薄膜退火后则出现大量的裂缝、孔洞等缺陷.
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文献信息
篇名
退火温度对La3Ga5SiO14薄膜结构及表面形貌的影响
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
La3Ga5SiO14薄膜
脉冲激光沉积
退火温度
微观结构
年,卷(期)
2010,(3)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
588-592
页数
分类号
O484
字数
3386字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王继扬
山东大学晶体材料国家重点实验室
200
1444
21.0
30.0
2
李红霞
浙江工业大学机械制造及自动化教育部重点实验室
10
130
7.0
10.0
3
季振国
杭州电子科技大学电子信息学院
33
116
5.0
9.0
4
张雯
山东大学晶体材料国家重点实验室
15
21
3.0
3.0
5
娄垚
杭州电子科技大学电子信息学院
1
4
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二级参考文献(1)
2000(3)
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参考文献(2)
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参考文献(0)
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2006(1)
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2007(3)
参考文献(1)
二级参考文献(2)
2008(2)
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2012(1)
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二级引证文献(3)
2014(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2015(1)
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引证文献(1)
二级引证文献(1)
2017(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
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引证文献(0)
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La3Ga5SiO14薄膜
脉冲激光沉积
退火温度
微观结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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