钽掺杂对二氧化钒多晶薄膜相变特性的影响

• 作者: 付学成 李金华 袁宁一 谢建生
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化钒薄膜 Ta掺杂 离子束增强沉积
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 173-176
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 3039字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.03.013

摘要

将Ta_2O_5与V_2O_5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜.在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜.X射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向.XPS测试表明,膜中V为+4价,Ta以替位方式存在.温度-电阻率测试表明,薄膜具有明显的相变行为,原子比为3%的Ta掺杂后,二氧化钒多晶薄膜相变温度降低到约48℃.Ta原子的半径大于V原子的半径,Ta的掺入在薄膜中引入了张应力;5价Ta 替代4价V,在d轨道中引入多余电子,产生施主能级,这些是掺钽二氧化钒多晶薄膜相变温度降低的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李金华	江苏工业学院电子科学与工程系	33	277	9.0	15.0
2	谢建生	江苏工业学院电子科学与工程系	9	68	4.0	8.0
3	袁宁一	江苏工业学院电子科学与工程系	26	154	8.0	10.0
4	付学成	江苏工业学院电子科学与工程系	3	12	2.0	3.0