EEPROM单元辐射机理研究

• 作者: 周昕杰 张国贤 王晓玲
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: EEPROM 辐射机理 SONOS FLOTOX
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN702
• 字数: 2702字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.03.005

摘要

随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多.为了满足太空及军事领域的需要,文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,比较了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出由于FLOTOX单元受工艺和结构的限制,抗辐射性能不如SONOS单元.同时在做抗辐射加固设计时,FLOTOX单元还需要考虑到电压耦合比的问题,且不利于等比例缩小.文章的研究不但满足了目前的工作需要,还为以后抗辐射EEPROM制作提供了理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓玲	中国电子科技集团公司第五十八研究所	10	29	4.0	4.0
2	张国贤	中国电子科技集团公司第五十八研究所	4	10	2.0	3.0
3	周昕杰	中国电子科技集团公司第五十八研究所	13	24	3.0	3.0