920nm光抽运垂直外腔面发射半导体激光器结构设计

• 作者: 吕金锴 宁永强 梁雪梅 王立军 秦莉 程立文
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 结构设计 有限元 垂直外腔面发射激光器 光抽运
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 79-85
• 页数: 7页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1527字
• 语种: 中文

摘要

设计并优化了一种用808 nm的大功率激光二极管为抽运光源,In_(0.09)Ga_(0.91)As量子阱结构为增益介质的920 nm光抽运半导体垂直外腔面发射激光器.运用有限元方法,对激光器的电特性方程和光特性方程求自洽解,计算了器件各种特性参量.分析了单个周期内不同阱的个数(1,2和3)、不同阱深、不同垒宽、不同非吸收层组分、不同非吸收层尺寸条件下,器件性能的改变,特别是模式、阈值和光-光转换效率的改变,从而选择一个最佳的结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁永强	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	49	191	9.0	13.0
2	秦莉	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	50	185	8.0	13.0
3	吕金锴		2	21	1.0	2.0