Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质

• 作者: 于淑珍 孙晓娟 宋航 张立功 李志明 缪国庆 蒋红 金亿鑫 黎大兵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InP 纳米线 金属有机化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 767-772
• 分类号: O472.3
• 字数: 3162字
• 语种: 中文

摘要

采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在Si(100),(111)衬底上成功生长了InP纳米线.利用扫描电镜观察样品表面,在Si(100),(111)衬底上生长的纳米线形貌相似,纳米线面密度不同.利用X射线衍射和透射电镜研究纳米线的生长取向和晶体结构,结果显示纳米线具有闪锌矿结构,生长方向<111>,并且具有层状孪晶结构.与Inp体材料相比,纳米线的光致发光峰位蓝移,半峰全宽增大,拉曼散射TO和LO峰向低波数频移'频移随激发光功率减弱而减小.