射频晶体管3DG2714基极电阻Rbb,的分析与研究

• 作者: 吴振江
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 射频 射频晶体管 基区 基极电阻
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.02.007

摘要

射频晶体管具有高的特征频率fT,高的功率增益Gp.为此在工程上多采用浓硼扩散形成嫁接基区.尽可能减少基极电阻Rbb,,同时采用梳状结构电极,浅结扩散,小的结面积等工艺,提高fT,从而双方面提高功率增益Gp.文章以该公司生产的射频晶体管3DG2714为例,分析了发射结下基区部分电流流动状态,合理计算了这部分的基极电阻Rb1,分析了发射极与基极之间淡硼扩散区的电流流动状态,合理计算了这部分的基极电阻Rb2,忽略了两个影响极小的电阻,计算了总的基极电阻Rbb,.为减小基极电阻提高功率增益的射频晶体管设计制造提供了依据.