一种200V/100A VDMOS器件开发

• 作者: 晋虎 焦世龙 翁长羽
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管 元胞
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 20-23
• 分类号: TN432
• 字数: 1950字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.07.006

摘要

分析了功率MOSFET最大额定电流与导通电阻的关系,讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑,提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度,以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法,并据此设计了一种元胞结构.详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节,包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P阱推进等.流水所得VDMOS实测结果表明,该器件反向击穿特性良好,栅氧耐压达到本征击穿,阈值电压2.8V,导通电阻仅25m Ω,器件综合性能良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	焦世龙		2	6	2.0	2.0
2	翁长羽		2	8	2.0	2.0
3	晋虎		1	2	1.0	1.0