一种用于新型非制冷IRFPA读出电路的带隙基准源

• 作者: 吕坚 蒋亚东 马娜
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS带隙基准源 无电阻 低电压
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 457-461
• 分类号: TN215
• 字数: 2448字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.08.006

摘要

设计了一种用于新型非制冷IRFPA读出电路的高精度、无电阻带隙基准低电压源电路.该电路通过Buck's电压转移单元代替电阻,并且采用正比与Ta的电流对VBE进行高阶补偿.在0.5μmCMOS工艺条件下,采用spectre进行模拟验证.模拟仿真结果表明:该电路结构具有较高的电源抑制比和低的温度系数:在电源电压从2.8 V变化到4.2 V时,输出电压波动小于3 mV;在0～75℃温度变化范围内,输出电压的最大变化范围为±0.75mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋亚东	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
2	吕坚	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	246	10.0	13.0
3	马娜	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	4	1.0	2.0