TLP扩散焊过程中近表面区域元素贫化控制研究

• 作者: 侯金保 吴松 李晶
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: IC10合金 贫化 分压 组织
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 69-72
• 分类号: TG457.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2010.10.016

摘要

为了控制TLP扩散焊过程中近表面区域元素贫化,通过对IC10合金TLP扩散焊不同充氩分压量实验,测试分析充氩分压对表面Cr元素含量的影响和对焊接组织性能的影响.实验结果表明:TLP扩散焊真空充氩分压能控制表面Cr元素贫化层厚度在4μm左右,能有效控制TLP扩散焊过程中的表面元素贫化问题;焊接保温20min后开始分压,对焊接接头组织性能无不利影响;焊后进行热处理,能提高焊接强度,恢复基体组织性能.添加涂层后,经过扩散处理,贫Cr层消失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯金保		41	240	8.0	13.0
2	李晶		14	65	6.0	7.0
3	吴松		9	39	3.0	6.0