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摘要:
研究了CCD敏感参数受辐照后的退化情况.分析了电荷转移效率受不同粒子辐照后的退化情况,并列表进行了对比;分析了暗电流受辐射增大的规律;分析了平带电压和阈值电压受辐射后的漂移现象.初步确定了CCD敏感参数的辐射损伤阈值范围.
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文献信息
篇名 辐射损伤诱发CCD敏感参数退化分析
来源期刊 核电子学与探测技术 学科 化学
关键词 CCD 辐射损伤 体缺陷 敏感参数 损伤阈值
年,卷(期) 2010,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 151-156,170
页数 7页 分类号 O605|TN386.5
字数 6090字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-0934.2010.02.001
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研究主题发展历程
节点文献
CCD
辐射损伤
体缺陷
敏感参数
损伤阈值
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
核电子学与探测技术
双月刊
0258-0934
11-2016/TL
大16开
北京市经济技术开发区宏达南路3号
1981
chi
出版文献量(篇)
5579
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