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InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究
InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究
作者:
刘英斌
林琳
赵润
郑晓光
陈宏泰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
InGaAs
单原子层
台阶聚集
界面
金属有机物化学气相沉积
摘要:
研究了InGaAs/InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征.InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌,用原子力显微镜(AFM)观察到了外延层表面原子台阶的聚集现象(step-bunching现象),通过晶体表面的原子台阶密度和二维生长模型解释了台阶聚集现象的形成.对外延材料进行化学腐蚀,通过双晶X射线衍射(DCXRD)分析发现异质结界面存在应力,用异质结界面岛状InAs富集解释了应力的产生.通过严格控制InGaAs材料的晶格匹配,并优化MOCVD外延生长工艺,制备出厚层InGaAs外延材料,获得了低于1×10~(15)cm~(-3)的背景载流子浓度和良好的晶体质量.
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(/年)
文献信息
篇名
InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
InGaAs
单原子层
台阶聚集
界面
金属有机物化学气相沉积
年,卷(期)
2010,(2)
所属期刊栏目
技术专栏(新型半导体材料)
研究方向
页码范围
113-115,120
页数
4页
分类号
TN304.055
字数
2190字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1003-353x.2010.02.004
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘英斌
中国电子科技集团公司第十三研究所
10
54
5.0
7.0
2
林琳
中国电子科技集团公司第十三研究所
21
58
6.0
7.0
3
陈宏泰
中国电子科技集团公司第十三研究所
25
102
6.0
8.0
4
赵润
中国电子科技集团公司第十三研究所
18
45
5.0
5.0
5
郑晓光
中国电子科技集团公司第十三研究所
2
12
2.0
2.0
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(/年)
引文网络
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节点文献
引证文献
(6)
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引证文献(0)
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
2015(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
2017(5)
引证文献(2)
二级引证文献(3)
研究主题发展历程
节点文献
InGaAs
单原子层
台阶聚集
界面
金属有机物化学气相沉积
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
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