高功率脉冲源双锥负载不同端接状态的辐射特性分析

• 作者: 周辉 斌杰 毛从光 王海洋 贾伟薛 陈维青
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 双锥 不同端接状态 高功率脉冲源 电磁脉冲 FDTD
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 84-87,92
• 页数: 5页
• 分类号: O441.4
• 字数: 1497字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2010.01.020

摘要

高功率脉冲源的双锥负载,在调试过程中将辐射强电磁波,对周围电子设备造成严重干扰.论文采用时域有限差分(FDTD)法,对双锥天线的近场辐射过程进行模拟计算,考察双锥终端分别为开路、短路和连接电阻负载三种状态下的电磁辐射特性,证明用电阻线连接双锥终端,可以同时抑制终端反射和空间辐射,保护脉冲源自身和电子设备.最后给出实验室内关键位置处的电磁骚扰水平.