(SiO2)n-(n≤7)团簇的密度泛函研究

• 作者: 张岩 李兵 杨传路 盛勇 陈雪风 齐凯天
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二氧化硅 负离子团簇 密度泛函
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 4598-4601
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用密度泛函理论中的广义梯度近似对(SiO2)n-(n≤7)负离子团簇的几何构型进行了优化,并对能量和频率进行了计算.通过对计算结果的分析发现,与近邻尺寸的团簇比较,(SiO2)4-团簇最低能量结构更加稳定;(SiO2)n-(n≥4)团簇的最低能量结构是以(SiO2)4-为基础结构,具有一定的生长规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	盛勇	四川大学材料科学与工程学院	40	255	10.0	14.0
2	张岩	四川大学材料科学与工程学院	11	26	3.0	5.0
3	李兵	四川大学材料科学与工程学院	25	84	4.0	8.0
4	齐凯天	四川大学材料科学与工程学院	6	29	4.0	5.0
5	陈雪风	四川大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0