CO3O4掺杂Mg2SiO4陶瓷介电性能的研究

• 作者: 刘晓光 唐定中 季惠明 李晓雷 李鑫 毕宝宝 齐长见
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: Mg2SiO4 羝介电常数 微波介质陶瓷 Co3O4
• 年，卷（期）: 2010,（z2）
• 页码范围: 7-9,23
• 分类号: TB321
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.003

摘要

采用固相反应法制备了Co3O4掺杂Mg2SiO4微波介质陶瓷,研究Co2+离子掺杂对Mg2SiO4陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响.结果表明:Co2+可以完全取代Mg2+固溶在Mg2 SiO4晶体中形成(Cox Mg1-x)2SiO4固溶体,通过调整加入的Co3O4的摩尔量可以获得介电性能优良的微波陶瓷.当x=0.025时,在1250℃下保温3h,( Co0.025Mg0.975)2 SiO4陶瓷具有良好的介电性能为:εr=7.7,Q=8850(1.8MHz),电容温度系数为50.4×10-6/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐定中	北京航空材料研究院先进高温结构材料国防科技重点实验室	33	210	9.0	12.0
2	季惠明	天津大学先进陶瓷级加工技术教育部重点实验室	41	253	9.0	12.0
3	李晓雷	天津大学先进陶瓷级加工技术教育部重点实验室	35	174	8.0	11.0
4	刘晓光	北京航空材料研究院先进高温结构材料国防科技重点实验室	32	223	10.0	12.0
5	齐长见	北京航空材料研究院先进高温结构材料国防科技重点实验室	3	15	1.0	3.0
6	李鑫	天津大学先进陶瓷级加工技术教育部重点实验室	30	195	7.0	13.0
10	毕宝宝	天津大学先进陶瓷级加工技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0