多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性

• 作者: 孙晓娟 宋航 李志明 竹敏 缪国庆 蒋红 陈一仁 黎大兵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: LP-MOCVD GaSb量子点 PL谱 关联效应
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 859-863
• 分类号: O482.31
• 字数: 2958字
• 语种: 中文

摘要

通过对多层GaSh量子点的生长研究,发现随着生长层数的增加,量子点尺寸逐渐变大,密度没有明显变化,并且量子点出现了聚集现象;当层数增加到一定数量、量子点聚集到一定大小时,聚集的量子点处会出现空洞.这些现象表明,各层量子点在生长过程中存在关联效应,并且GaAs层不能很好地覆盖在聚集的量子点之上,在继续生长其它量子点层时,聚集的量子点处在高温下出现GaSb的蒸发,从而出现空洞.PL谱出现了很宽的量子点发光峰,这很可能是由于多层量子点在生长时大小分布较宽而导致的结果.