AlInN光电薄膜的研究进展

• 作者: 徐明 芦伟 董成军 魏屹
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlInN薄膜 制备方法 特性 应用
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 所属期刊栏目: 本期专题:半导体材料
• 页码范围: 132-137
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 6252字
• 语种: 中文

摘要

AlInN三元合金是优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,具有优良的光学和电学性能,在光电子器件应用方面具有广阔的应用前景.详细评述了近年来AlInN薄膜材料在生长技术、晶体结构、表面形貌、热学特性、光电特性等方面的研究,为AlInN三元合金在光电方面的基础和应用研究提供了重要参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐明	四川师范大学固体物理所低维结构物理实验室	48	989	13.0	31.0
5	芦伟	四川师范大学固体物理所低维结构物理实验室	3	4	1.0	2.0
6	魏屹	四川师范大学固体物理所低维结构物理实验室	3	4	1.0	2.0
7	董成军	四川师范大学固体物理所低维结构物理实验室	2	4	1.0	2.0