EEPROM单元抗辐射版图设计技术

• 作者: 周昕杰 田海燕 赵力
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: EEPROM单元 抗辐射 版图加固
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 22-24,29
• 分类号: TN402
• 字数: 1264字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.05.006

摘要

随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多.为了达到提高存储器件抗辐射性能的目的,文章从版图设计的角度出发,首先分析了辐射对器件造成的影响,接下来分别介绍了基于FLOTOX和SONOS工艺的EEPROM器件特性,同时指出了在版图设计时需要注意的电压耦合比的问题.在设计中,利用管内隔离和管间隔离的方法,使得管内源/漏端和相邻两管源/漏端之间没有场氧介入,或是将场氧隔开,不让场区下形成漏电通道.设计出的EEPROM版图,不但满足了目前的工作需要,同时为以后抗辐射版图设计提供了有用的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵力	中国电子科技集团公司第五十八研究所	4	20	1.0	4.0
2	周昕杰	中国电子科技集团公司第五十八研究所	13	24	3.0	3.0
3	田海燕	中国电子科技集团公司第五十八研究所	6	14	1.0	3.0