用于高亮LED的Si键合研究

• 作者: 刘剑霜 张俊兵 曾祥华 李伙全 林岳明 王书昶 金豫浙
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅键合 Au/In合金 AlGaInP外延片 发光二极管 镜面衬底
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(光电器件技术)
• 页码范围: 436-439
• 分类号: TN305.96
• 字数: 2346字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.05.005

摘要

在Si和外延层之间使用一层薄金属层作为高效反射镜的所谓"镜面衬底",不但有助于提高芯片的出光效率,同时把键合温度降低到300℃以下.利用Au/In合金的方法,来实现用于高亮LED的Si片与AlGaInP四元外延片的键合.实验表明,在温度为250℃时,利用Au/In作为焊料,Si片与AlGaInP四元外延片可以实现比较好的键合,键合面可以达到60%.通过研磨减薄、X-ray测试和扫描电镜(SEM)测试得出键合面的界面特性,通过能谱分析得出键合面的物质分别为AuIn2和AuIn,实验测试得出此时Au的原子数占33.31%,In的原子数占36.64%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王书昶	扬州大学物理科学与技术学院	8	21	3.0	4.0
2	林岳明		6	36	3.0	6.0
3	李伙全	扬州大学物理科学与技术学院	11	23	2.0	4.0
4	刘剑霜	扬州大学物理科学与技术学院	8	19	1.0	4.0
5	张俊兵	扬州大学物理科学与技术学院	6	39	4.0	6.0
6	金豫浙	扬州大学物理科学与技术学院	4	15	3.0	3.0
7	曾祥华	扬州大学物理科学与技术学院	57	143	6.0	10.0