AlN-SiC微波衰减陶瓷在X波段的选频衰减性能

• 作者: 丘泰 李晓云 罗辑 陆文慧
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 微波衰减陶瓷 氮化铝 碳化硅 选频衰减
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TM28
• 字数: 2901字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.08.001

摘要

以氮化铝、碳化硅为原料,氧化钇为烧结助剂,在1 900℃,氮气气氛中,采用热压烧结工艺制备了AIN-SiC复相微波衰减材料.借助网络分析仪,研究了该材料在8～12 GHz的微波衰减性能.结果表明,当SiC质量分数从0增加到9%时,该材料的谐振损耗峰所对应的频率从10.86 GHz降低到10.11 GHz,所对应的峰值从3.2 dB降低到0.7 dB,而该材料的有效衰减带增大;在900～1000℃、氢气(纯度≥99.99%)气氛中保温30～50min后,该材料的谐振频率维持在10.65～10.62 GHz,谐振峰峰值略微减小;这表明在氢气气氛中的热处理对该材料的微波衰减性能影响较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丘泰	南京工业大学材料科学与工程学院	283	2308	22.0	31.0
2	李晓云	南京工业大学材料科学与工程学院	69	515	12.0	19.0
3	陆文慧	南京工业大学材料科学与工程学院	1	5	1.0	1.0
4	罗辑	南京工业大学材料科学与工程学院	1	5	1.0	1.0